Transistor-Typ
NPN
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
20 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
500 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
3.5V @ 2A, 20A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
40 @ 5A, 5V
Leistung - Max.
2 W
175 W
Frequenz - übergang
120MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis, Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-111-4, Stud
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-111
TO-3
