NTE70
NTE70
Active
Beschreibung:  TRANS NPN 150V 20A TO63
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE70 Datenblatt
Geschichte Preis: $79.80000
Vorrätig: 30000
NTE70 vs NTE47
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150 V
45 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 10A, 50A
300mV @ 500μA, 50mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA
50nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 20A, 4V
500 @ 10mA, 5V
Leistung - Max.
250 W
625 mW
Frequenz - übergang
-
160MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-211MB, TO-63-4, Stud
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-63
TO-92