Transistor-Typ
NPN
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
20 A
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
150 V
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
3V @ 10A, 50A
1.5V @ 100μA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA
500nA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 20A, 4V
10000 @ 100mA, 5V
Leistung - Max.
250 W
625 mW
Frequenz - übergang
-
200MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-211MB, TO-63-4, Stud
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-63
TO-92
