NTE640
NTE640
Active
Beschreibung:  DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE640 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.16000
Vorrätig: 21000
NTE640 vs NTE620
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Schottky
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
40 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2A
500mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
500 mV @ 2 A
1.2 V @ 500 mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
500 μA @ 40 V
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
150pF @ 4V, 1MHz
7pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-214AA, SMB
DO-213AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AA
DO-213AA
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 125 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃