NTE638
NTE638
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 2.5A AXIAL
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE638 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.78000
Vorrätig: 17600
NTE638 vs NTE641
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
60 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2.5A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 2.5 A
700 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 1600 V
500 μA @ 60 V
Kapazität bei Vr, F
-
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
Axial
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
Axial
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃