NTE638
NTE638
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 2.5A AXIAL
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE638 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.78000
Vorrätig: 17600
NTE638 vs NTE631
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2.5A
250mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 2.5 A
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 1600 V
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
-
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
Axial
SOD-110
Gehäusetyp vom Lieferanten
Axial
SOD-110
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 150 ℃
150 ℃