NTE6364
NTE6364
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6364 Datenblatt
Geschichte Preis: $141.96000
Vorrätig: 9100
NTE6364 vs NTE6246
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
15A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.05 V @ 15 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1600 V
10 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
TOP-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
TOP3
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃