NTE6363
NTE6363
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6363 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 7400
NTE6363 vs NTE6162
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
1400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
150A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.1 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
5 mA @ 1400 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
DO-203AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-65 ℃ ~ 190 ℃