NTE6362
NTE6362
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6362 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 5700
NTE6362 vs NTE648
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
900 mV @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
200 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
80pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
DO-201AD, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-201AD
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-65 ℃ ~ 150 ℃