NTE6362
NTE6362
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6362 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 5700
NTE6362 vs NTE640
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
40 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
500 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
500 μA @ 40 V
Kapazität bei Vr, F
-
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃