NTE6362
NTE6362
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6362 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 5700
NTE6362 vs NTE6364
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
1600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
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Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
30 mA @ 1600 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃