NTE6362
NTE6362
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6362 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 5700
NTE6362 vs NTE635
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
1.9A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.05 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
-
80pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
SOD-57
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃