NTE6362
NTE6362
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6362 Datenblatt
Geschichte Preis: $123.76000
Vorrätig: 5700
NTE6362 vs NTE631
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
250mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1400 V
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
-
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
SOD-110
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
SOD-110
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
150 ℃