NTE6359
NTE6359
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1KV 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6359 Datenblatt
Geschichte Preis: $98.56000
Vorrätig: 2300
NTE6359 vs NTE637
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
30 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
800 mV @ 100 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
-
5 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 1000 V
2 μA @ 25 V
Kapazität bei Vr, F
-
10pF @ 1V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
SOT-23
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃