NTE6355
NTE6355
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 400V 300A DO9
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6355 Datenblatt
Geschichte Preis: $61.95000
Vorrätig: 45500
NTE6355 vs NTE641
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
60 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
300A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
700 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
40 mA @ 400 V
500 μA @ 60 V
Kapazität bei Vr, F
-
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-9, Stud
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 180 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃