NTE635
NTE635
Active
Beschreibung:  DIODE AVALANCHE 400V 1.9A SOD57
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE635 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.96000
Vorrätig: 42100
NTE635 vs NTE6357
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Avalanche
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1.9A
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.05 V @ 2 A
-
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
50 ns
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 400 V
40 mA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
80pF @ 0V, 1MHz
-
Montagetyp
Through Hole
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
SOD-57, Axial
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-57
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃