NTE633
NTE633
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE633 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.11000
Vorrätig: 38700
NTE633 vs NTE626
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
1.3 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
250 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
10 μA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
50pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
SC-76, SOD-323
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-323
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃