NTE633
NTE633
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE633 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.11000
Vorrätig: 38700
NTE633 vs NTE6163
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
1400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
150A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
1.1 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
5 mA @ 1400 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
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Montagetyp
Surface Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
SC-76, SOD-323
DO-203AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-323
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
-65 ℃ ~ 190 ℃