NTE631
NTE631
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD110
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE631 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.22000
Vorrätig: 37000
NTE631 vs NTE640
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
40 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
500 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
500 μA @ 40 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SOD-110
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-110
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃