NTE631
NTE631
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD110
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE631 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.22000
Vorrätig: 37000
NTE631 vs NTE6355
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
-
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
40 mA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
-
Montagetyp
Surface Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
SOD-110
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-110
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃