NTE631
NTE631
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD110
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE631 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.22000
Vorrätig: 37000
NTE631 vs NTE635
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
250mA
1.9A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
1.05 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
4 ns
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1 μA @ 75 V
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
80pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
SOD-110
SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOD-110
SOD-57
Betriebstemperatur - übergang
150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃