NTE621
NTE621
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE621 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.36000
Vorrätig: 25100
NTE621 vs NTE641
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
60 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
700 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 400 V
500 μA @ 60 V
Kapazität bei Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-213AB, MELF (Glass)
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-213AB
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃