NTE62
NTE62
Active
Beschreibung:  TRANS NPN 900V 3A TO3
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE62 Datenblatt
Geschichte Preis: $10.30000
Vorrätig: 24900
NTE62 vs NTE59
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
17 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
900 V
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
10V @ 500mA, 1.5A
2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10mA
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
3 @ 1.5A, 10V
20 @ 8A, 4V
Leistung - Max.
50 W
200 W
Frequenz - übergang
-
20MHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
3-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
3-SIP