NTE619
NTE619
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 5A DO27
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE619 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.29000
Vorrätig: 21700
NTE619 vs NTE6365
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
1600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
5A
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 5 A
-
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
50 ns
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 600 V
30 mA @ 1600 V
Kapazität bei Vr, F
170pF @ 4V, 1MHz
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Montagetyp
Through Hole
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-201AA, DO-27, Axial
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-27
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃