NTE6165
NTE6165
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6165 Datenblatt
Geschichte Preis: $80.08000
Vorrätig: 20000
NTE6165 vs NTE634
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
980 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
25 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1600 V
5 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
100pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
SOD-57
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃