NTE6164
NTE6164
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6164 Datenblatt
Geschichte Preis: $80.08000
Vorrätig: 18300
NTE6164 vs NTE6368
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
1600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
250A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
2 V @ 800 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
1 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1600 V
50 mA @ 1400 V
Kapazität bei Vr, F
-
-
Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-40 ℃ ~ 190 ℃