NTE6164
NTE6164
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6164 Datenblatt
Geschichte Preis: $80.08000
Vorrätig: 18300
NTE6164 vs NTE633
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1600 V
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
250mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1600 V
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
-
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
SC-76, SOD-323
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
SOD-323
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
150 ℃