NTE6163
NTE6163
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6163 Datenblatt
Geschichte Preis: $61.88000
Vorrätig: 16600
NTE6163 vs NTE619
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1400 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
1.5 V @ 5 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1400 V
50 μA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
-
170pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-201AA, DO-27, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-27
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃