NTE6159
NTE6159
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6159 Datenblatt
Geschichte Preis: $40.04000
Vorrätig: 13200
NTE6159 vs NTE640
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
40 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
500 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1000 V
500 μA @ 40 V
Kapazität bei Vr, F
-
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-214AA
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃