NTE6159
NTE6159
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1KV 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6159 Datenblatt
Geschichte Preis: $40.04000
Vorrätig: 13200
NTE6159 vs NTE6356
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 200 A
-
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 mA @ 1000 V
40 mA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃