NTE6157
NTE6157
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6157 Datenblatt
Geschichte Preis: $48.75000
Vorrätig: 9800
NTE6157 vs NTE635
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
1.9A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 150 A
1.05 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
50 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 600 V
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
-
80pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
SOD-57
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃