NTE6157
NTE6157
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6157 Datenblatt
Geschichte Preis: $48.75000
Vorrätig: 9800
NTE6157 vs NTE626
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 150 A
1.3 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
250 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 600 V
10 μA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
-
50pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃