NTE6157
NTE6157
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6157 Datenblatt
Geschichte Preis: $48.75000
Vorrätig: 9800
NTE6157 vs NTE621
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 150 A
1.1 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 600 V
10 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
-
15pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Stud Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-213AB, MELF (Glass)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-213AB
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃