NTE6156
NTE6156
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6156 Datenblatt
Geschichte Preis: $48.75000
Vorrätig: 8100
NTE6156 vs NTE6158
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
150A
150A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.4 V @ 150 A
1.1 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
12 mA @ 600 V
5 mA @ 1000 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Stud Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-8, Stud
DO-203AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 200 ℃
-65 ℃ ~ 190 ℃