NTE6113
NTE6113
Active
Beschreibung:  DIODE GP 600V 1625A DO200AB
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE6113 Datenblatt
Geschichte Preis: $182.00000
Vorrätig: 37700
NTE6113 vs NTE6358
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1625A
300A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.93 V @ 3770 A
-
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 mA @ 600 V
30 mA @ 1000 V
Kapazität bei Vr, F
-
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Montagetyp
Chassis Mount
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-200AB, B-PUK
DO-203AA, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-200AB
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-30 ℃ ~ 175 ℃
-40 ℃ ~ 180 ℃