NTE59
NTE59
Active
Beschreibung:  TRANS PNP 200V 17A 3SIP
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE59 Datenblatt
Geschichte Preis: $15.75000
Vorrätig: 14700
NTE59 vs NTE397
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
17 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
200 V
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 1A, 10A
-
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100μA (ICBO)
50μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 @ 8A, 4V
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max.
200 W
10 W
Frequenz - übergang
20MHz
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
3-SIP
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-SIP
TO-39