NTE5332SM
NTE5332SM
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 600V 1A SMT
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5332SM Datenblatt
Geschichte Preis: $0.35000
Vorrätig: 41100
NTE5332SM vs NTE5332
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
600 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1 A
1 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
1.2 V @ 1 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 600 V
10 μA @ 600 V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-SMD, Gull Wing
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SMD
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