NTE5332
NTE5332
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 600V 1A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5332 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.67000
Vorrätig: 39400
NTE5332 vs NTE5340
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1 A
40 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 1 A
1.2 V @ 20 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
10 μA @ 200 V
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
QC Terminal
Gehäuse / Hülle
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-Square
Gehäusetyp vom Lieferanten
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