NTE5331
NTE5331
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 1000V 6A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5331 Datenblatt
Geschichte Preis: $7.36000
Vorrätig: 37700
NTE5331 vs NTE5743
Teilenummer
Reihe
-
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Three Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
1 kV
1.6 kV
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6 A
75 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 6 A
1.3 V @ 75 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 1000 V
8 mA @ 1600 V
Betriebstemperatur
-50 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
4-ESIP
Module
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
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