NTE5331
NTE5331
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 1000V 6A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5331 Datenblatt
Geschichte Preis: $7.36000
Vorrätig: 37700
NTE5331 vs NTE5329
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
1 kV
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6 A
6 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 6 A
1 V @ 6 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 1000 V
5 μA @ 200 V
Betriebstemperatur
-50 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-50 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-ESIP
4-ESIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
4-SIP