NTE5327W
NTE5327W
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 800V 25A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5327W Datenblatt
Geschichte Preis: $8.20000
Vorrätig: 29200
NTE5327W vs NTE5740
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Three Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
800 V
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
25 A
30 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 12.5 A
1.1 V @ 30 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
2 mA @ 800 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
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Montagetyp
Through Hole
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
4-Square
Module
Gehäusetyp vom Lieferanten
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