NTE5322W
NTE5322W
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 200V 25A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5322W Datenblatt
Geschichte Preis: $6.33000
Vorrätig: 19000
NTE5322W vs NTE5391
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
200 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
25 A
35 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 12.5 A
1.1 V @ 17.5 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 200 V
5 μA @ 400 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-Square
4-ESIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
4-SIP