NTE5318
NTE5318
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 200V 4A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE5318 Datenblatt
Geschichte Preis: $2.31000
Vorrätig: 12200
NTE5318 vs NTE5334
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
200 V
1 kV
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4 A
1 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 3 A
1.2 V @ 1 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 200 V
10 μA @ 1000 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-ESIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
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