Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
2.9V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
40 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max.
1 W
150 W
Frequenz - übergang
1GHz
-
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92L
TO-3
