Transistor-Typ
NPN - Darlington
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
150 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 1A
1V @ 50mA, 500A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100nA (ICBO)
50μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
4000 @ 1A, 5V
60 @ 400mA, 10V
Frequenz - übergang
1GHz
5MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92L
TO-220
