Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
17 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
45 V
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 500μA, 50mA
2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50nA (ICBO)
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
500 @ 10mA, 5V
20 @ 8A, 4V
Leistung - Max.
625 mW
200 W
Frequenz - übergang
160MHz
20MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
3-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
3-SIP
