Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
7 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
1.2V @ 700mA, 7A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
60 @ 2A, 2V
Leistung - Max.
625 mW
60 W
Frequenz - übergang
200MHz
30MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
TO-59
