Transistor-Typ
NPN - Darlington
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
3V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
30 @ 5A, 4V
Leistung - Max.
625 mW
150 W
Frequenz - übergang
200MHz
20MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
3-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
3-SIP
