Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
900 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
10V @ 500mA, 1.5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
10mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
3 @ 1.5A, 10V
Leistung - Max.
625 mW
50 W
Frequenz - übergang
200MHz
-
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
TO-3
