Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
45 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
300mV @ 500μA, 50mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
50nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
500 @ 10mA, 5V
Leistung - Max.
625 mW
625 mW
Frequenz - übergang
200MHz
160MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
TO-92
